Electronic and Mechanical Property of High Electron Mobility Semiconductor Bi2O2Se

来源:  时间:2019-09-10  点击数:

期刊名称:Journal of Alloys and Compounds

影响因子:4.175

作者:刘江田立强牟姚贾婉丽张琳刘如军

论文介绍:

伴随着石墨烯的发现,一个新的材料领域—二维纳米材料引起了人们的广泛关注。石墨烯由于其极高的电导率、热传导性和高机械强度而引起了科学家们极大地研究兴趣。尽管如此,本征石墨烯不存在带隙,这严重限制了该材料在电子及光电子器件方面的应用,这促使人们去寻找新型的二维材料来代替石墨烯。最近,一种新型二维三元硒酸化合物硒酸铋(Bi2O2Se)在实验室被科学家成功合成,它的显著特点是具有高的载流子迁移率和良好的空气稳定性,因此它在未来可应用于基础研究和高速-低功耗电子器件。而文献中关于此种材料的研究主要集中于热电性质、输运特点和本征点缺陷,但对其重要的力学性质的研究几乎没有。鉴于此,论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算系统的研究了硒酸铋材料的力学性质和电子结构。该研究为Bi2O2Se材料的基础研究及应用研究具有参考作用,论文发表在1区期刊Journal of Alloys and Compounds上。

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